4月13日消息，长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）在官网宣布其128层qlc 3d nand闪存芯片 x2－6070研发成功，已在多家控制器厂商ssd等终端存储产品上通过验证，将率先应用于消费级ssd，并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域，以满足未来5g、ai时代多元化数据存储需求。
xtacking®2．0创新架构助力3d nand升级
长江存储表示，x2－6070是业内首款128层qlc规格的3d nand闪存，在目前全球已公开发布的3d nand flash存储芯片产品中，x2－6070拥有最高单位面积存储密度，最高i／o传输速度和最高单颗nand闪存芯片容量。长江存储本次还同时发布了128层512gb tlc（3 bit／cell）规格闪存芯片x2－9060，以满足不同应用场景的需求。
长江存储本次发布的两款产品均采用公司自研xtacking®2．0架构，外围电路和存储单元可堆叠，带来极佳的扩展性。在性能方面，两款产品拥有1．6gbps的i／o读写性能，3d qlc单颗容量高达1．33tb，是上一代产品64层的5．33倍。
去年9月，长江存储宣布在其第三代3d nand闪存中应用xtacking®2．0架构，相关技术概念在ic china 2019上得以公开。
据ofweek电子工程网了解，xtacking®技术可以为3d nand带来三大优势：
1、更快的i／o接口速度：xtacking®技术可在一片晶圆上独立加工负责数据i／o及记忆单元操作的外围电路，有利于选择合适的先进逻辑工艺，让nand获取更高的i／o接口速度及更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后，创新的xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根金属via将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本；
2、更高的存储密度：外围电路约占传统3d nand架构中芯片面积的20～30％，随着3d nand技术堆叠到128层甚至更高，外围电路面积占比将超过50％以上。xtacking技术将外围电路置于存储单元之上，实现比传统3d nand更高的存储密度；
3、提升研发效率并缩短生产周期：充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势，实现了并行的、模块化的产品设计及制造，产品开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短20％，从而大幅缩短3d nand产品的上市时间。
追赶国际大厂，3年实现技术跨越
据悉，长江存储于2017年成功设计制造了中国首款32层3d nand闪存；2019年9月，搭载长江存储自主创新xtacking®架构的64层tlc 3d nand闪存正式量产。短短三年时间，长江存储实现了从32层到64层再到128层的技术跨越，迅速追上了日韩美厂商先进水平，值得欣慰。
（长江存储发展历程－资料源自长江存储官网）
长江存储市场与销售高级副总裁龚翊表示：“作为闪存行业的新人，长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。这既是数千长存人汗水的凝聚，也是全球产业链上下游通力协作的成果。随着xtacking® 2．0时代的到来，长江存储有决心，有实力，有能力开创一个崭新的商业生态，让我们的合作伙伴可以充分发挥他们自身优势，达到互利共赢。”
随着5g时代的到来，nand市场或将在2020年出现升温，尤其是中国市场5g终端产品越来越多。去年底，nand闪存芯片市场的霸主三星宣布对其位于西安的芯片工厂加注80亿美元（约合562亿人民币）投资，以扩大nand闪存芯片产能，进一步巩固自己的领先地位。
但需要注意的是，存储作为一种具备庞大数据量的承载产品，安全问题也更加值得警惕。因此，在政务、网信等关键领域，有必要进一步推进国产化存储发展。
目前全球nand闪存市场主要还是以国外玩家为主，比较知名的有三星、sk海力士、美光、东芝、西部数据等，长江存储作为国内nand闪存领军企业，在128层3d tlc／qlc闪存上的进展也让国人看到了希望，期待相关终端产品能够尽快上市和应用。

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